SiC 다이오드는 새로운 기술로, 실리콘 대비 뛰어난 스위칭 성능과 신뢰성을 제공합니다. 고온에서도 강하게 작동하며, 고주파수와 높은 전압에서 효율적입니다. 빠른 복구 시간으로 다양한 전류 전환에 적합하며, 높은 온도 응용 분야에서 효율적으로 활용될 수 있습니다.
SiC MOSFET은 빠르고 견고한 설계로 높은 효율성을 제공하며, 실리콘 MOSFET보다 더 높은 차단 전압과 열 전도성을 갖추고, 항복 강도도 10배정도 높습니다. 높은 스위칭 주파수와 고온에서 효율적으로 작동하며, 모듈 사용으로 제품 크기를 축소하여 시스템 이점을 극대화한 제품입니다.